王占国

　　王占国，1938年12月生，河南镇平县人，著名半导体材料物理学家。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。1980-1983年瑞典隆德大学访问学者;1986年任半导体所研究员，材料室主任;1990年被批准为博士生导师;1990-1994任半导体所副所长;1991-2001年，先后曾任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长;从1990年起先后任国际半导体和半绝缘材料、第7届国际化学束外延、国际缺陷识别与成象物理会议等6个顾问委员会委员，中科院半导体材料科学实验室主任，北大、清华等多个国家、部门开放实验室学术委员会委员。第八届北京市人民政府专家顾问团顾问，中国材料学会常务理事，中国电子学会高级会员。

　　半导体学报、人工晶体学报、材料导报等编委。1995年当选为中科院院士，现任技术学部常委。“973”重大基础研究计划“信息功能材料相关基础问题”项目首席科学家。曾获中科院自然科学一等奖，中科院科技进步一、二和三等奖，国家科技进步三等奖和国家重点科技攻关奖多项, 在国外重要学术刊物发表论文100多篇，被他人引用数百次。